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研究背景與挑戰PSC商業化的關鍵瓶頸在于缺陷鈍化制程的再現性不足。本研究針對此領域面臨的三大核心挑戰:1. 表面狀態變異性:鈣鈦礦薄膜表面狀態在不同批次、操作者間存在顯著差異,即使微小的制程波動(溫度、化學計量比、濕度)都會導致截然不同的缺陷分布,使鈍化效果難以重現。2. 最佳鈍化劑濃度控制困難:傳統策略需在缺陷修復與電荷傳輸間找到平衡點(最佳濃度C*),但表面狀態變異導致既定最佳條件無法跨實驗重現,甚至產生負面效果。3. 常規鈍化模式的固有限制:CP模式下鈍化劑濃度變化顯著影響其分布與能級對齊
研究背景鈣鈦礦疊層太陽能電池在效率提升過程中,「埋藏接口」質量已成為關鍵的技術制約因素。本研究深入探討鈣鈦礦子電池埋藏接口的技術瓶頸,致力于解決影響疊層電池光電轉換效率與長期穩定性的核心問題。• 結構缺陷與化學反應:在鈣鈦礦子電池的埋藏接口處,存在著有害的結構缺陷和化學反應,這些缺陷會導致顯著的非輻射電荷載流子復合和有害的化學反應。 • PEDOT:PSS 層帶來的挑戰:目前廣泛使用的空穴傳輸層 (HTL) PEDOT:PSS,其酸性和吸濕性會引發不利的氧化反應,嚴重惡化
研究背景與困難點 鈣鈦礦太陽能電池雖然發展迅速,但其開路電壓仍顯著落后于理論Shockley–Queisser極限,成為限制效率提升的關鍵瓶頸。造成電壓損失的主要原因包括:關鍵界面處的能量層不匹配和過度的非輻射復合。特別是在傳統結構中,SnO2電子傳輸層表面的未配位Sn2+ (Sn–OH)形成淺陷阱位點,嚴重損害電子傳輸效率。這些界面缺陷不僅降低器件性能,還加速鈣鈦礦在熱和濕氣環境下的降解,導致長期操作穩定性不足。 研究團隊及重要成果這項突破性的研究
研究困難與挑戰寬能隙 (WBG) 子電池中,作為空穴傳輸層的氧化鎳 (NiOx) 與自組裝單分子層 (SAMs) 之間的接口接觸問題,嚴重限制了器件的效率和穩定性。現有技術存在以下主要挑戰:•NiOx腐蝕問題:傳統上廣泛使用的SAMs,例如含有磷酸(PA)作為錨定基團的 SAMs (PA-SAMs),其酸性較強,容易腐蝕具有化學反應性的NiOx層,會損害NiOx層的完整性和功能,進而削弱器件的穩定性。•SAM分子聚集與接口問題: 傳統SAMs分子在NiOx表面容易發生聚集
研究困難與挑戰 現有的高效電荷選擇性接觸層(如自組裝單分子層,SAMs)多針對窄能隙鈣鈦礦太陽能電池進行優化,其能階特性并未為寬能隙(WBG)鈣鈦礦量身設計。這種接口能階失配導致嚴重的非輻射復合,直接造成開路電壓損失與填充因子降低,嚴重限制了器件的整體功率轉換效率。本研究的核心挑戰在于如何系統性且精確地調控SAM能階,使其與WBG鈣鈦礦層達到最佳匹配,從而降低接口復合損失、提升電荷萃取效率,改善WBG鈣鈦礦子電池及疊層電池的整體性能。 研究團隊與發表
研究成就與重點鈣鈦礦太陽能電池 (PSCs) 效率顯著提升,但開路電壓(VOC)仍低于理論極限。這主要源于能量層級不匹配及關鍵接口(特別是SnO2/鈣鈦礦埋藏界面)的非輻射復合損失。埋藏接口的缺陷是主要問題,精準調控此接口是提升 PSCs 性能的關鍵。這項發表于國際頂尖期刊Advanced Materials (Adv. Mater.)的研究,由香港理工大學的李剛(Gang Li)教授和Kuan Liu教授團隊,以及香港大學的 Jinyao Tang教授和Mingliang